SCT4013DEC11

ROHM Semiconductor
755-SCT4013DEC11
SCT4013DEC11

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC

数据表:
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库存量: 641

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本产品所报告的交付时间长。
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥243.7636 ¥243.76
¥178.6643 ¥1,786.64

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247N-3
N-Channel
1 Channel
750 V
105 A
16.9 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
312 W
Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 21 ns
正向跨导 - 最小值: 32 S
封装: Tube
产品: MOSFET's
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 57 ns
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 83 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
零件号别名: SCT4013DE
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

第四代N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor第四代N沟道碳化硅 (SiC) 功率MOSFET具有低导通电阻，改进了短路耐受时间。第四代SiC MOSFET易于并联、驱动简单。此系列MOSFET具有快速开关和快速反向恢复特性，开关损耗低，最大工作温度为+175°C。ROHM第四代N沟道SiC功率MOSFET支持15V栅源电压，有助于降低器件功耗。

N沟道SiC功率MOSFET

ROHM SemiconductorN沟道SiC（碳化硅）功率MOSFET在开关期间不会产生尾电流，因此动作更快，开关损耗更低。它们的低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。这些ROHM SiC Power MOSFET的导通电阻增加非常微弱，封装小型化更为出色。与标准硅器件相比，它们具有更出色的节能效果，在标准硅器件中，导通电阻随温度的升高可增加一倍以上。

750V N沟道SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N通道SiC MOSFET可提升开关频率，因此减少所需的电容器、电抗器以及其他组件的数量。这些SiC MOSFET采用TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA和TO-247-4L封装。此系列器件的静态漏源导通电阻（RDS(on)）额定值为13mΩ至65mΩ（典型值），连续漏极电流（ID）和源极电流（IS）范围为22A至120A（TC=25°C时）。这些ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高速开关特性，充分利用了SiC技术的独特优势。

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