SI8902AEDB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8902AEDB-T2-E1
SI8902AEDB-T2-E1

制造商：

说明：
MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-6
N-Channel
1 Channel
24 V
11 A
28 mOhms
- 12 V, 12 V
400 mV
- 55 C
+ 150 C
5.7 W
Enhancement
Reel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 12 us
正向跨导 - 最小值: 15 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 3.5 us
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 25 us
典型接通延迟时间: 1.5 us
单位重量: 128.380 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

带共漏极的集成MOSFET

Vishay带共漏极的集成MOSFET是采用表面贴装的1、2和3通道器件。集成MOSFET具有N通道和N+P通道选项，以及20V至200V的击穿电压范围。增强型MOSFET具有6或8个引脚，功耗范围为1.5W至69.4W，漏源电阻为2.15mΩ至26mΩ。

集成MOSFET解决方案

Vishay集成MOSFET解决方案将各种元件集成到单一芯片中，可提高功率密度、提高效率、简化设计并降低物料清单 (BOM) 成本。这些单芯片和多芯片MOSFET集成了肖特基势垒二极管和ESD保护等特性。这些MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET®技术，具有低热阻。

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
最少： 6000   倍数： 3000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.6668 ¥16,000.80

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