SIDR402EP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIDR402EP-T1-RE3
SIDR402EP-T1-RE3

制造商：

说明：
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

数据表:
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库存量: 10,175

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¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥26.6341 ¥26.63
¥17.3681 ¥173.68
¥12.1588 ¥1,215.88
¥10.3395 ¥5,169.75
¥10.2604 ¥10,260.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥8.6897 ¥26,069.10
¥8.4411 ¥50,646.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK SO-8
N-Channel
1 Channel
40 V
291 A
960 uOhms
- 16 V, 20 V
2.3 V
165 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 40 ns
正向跨导 - 最小值: 147 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 100 ns
系列: SIDR
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N沟道30-45V (D-S) MOSFET

Vishay N沟道30-45V (D-S) MOSFET是TrenchFET®第四代功率MOSFET，具有具有非常低的RDS Qg品质因数 (FOM)。该器件经过调谐，可实现最低RDS-Qoss FOM，具有顶部冷却功能，另外 还可在器件上的另一个位置实现热传递。MOSFET经 100% Rg和UIS测试。

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