SIR4606DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR4606DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR4606DP-T1-GE3
Price: 13.18 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SIR4606DP-T1-GE3

制造商编号：

SIR4606DP-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

数据表:

SIR4606DP-T1-GE3 数据表

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥14.8934	¥14.89
	¥9.5146	¥95.15
	¥6.3506	¥635.06
	¥5.0172	¥2,508.60
	¥4.5878	¥4,587.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥4.1245	¥12,373.50
	¥4.0002	¥24,001.20
	¥3.9437	¥94,648.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.4 V
Qg-栅极电荷:	54 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	48 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	12 ns
正向跨导 - 最小值:	60 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	25 ns

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

N沟道30-45V (D-S) MOSFET

Vishay N沟道30-45V (D-S) MOSFET是TrenchFET®第四代功率MOSFET，具有具有非常低的RDS Qg品质因数 (FOM)。该器件经过调谐，可实现最低RDS-Qoss FOM，具有顶部冷却功能，另外还可在器件上的另一个位置实现热传递。MOSFET经 100% Rg和UIS测试。