SIR5607DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
78-SIR5607DP-T1-RE3
SIR5607DP-T1-RE3

制造商：

说明：
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Vishay / Siliconix SIR5607DP-T1-RE3详情

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
P-Channel
1 Channel
60 V
90.9 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
31.7 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 20 ns
正向跨导 - 最小值: 52 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 320 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiSS52DN和SiSS54DN N沟道TrenchFET® Gen V功率MOSFET

Vishay / Siliconix SiSS52DN和SiSS54DN N沟道TrenchFET Gen V功率MOSFET具有非常低的RDS(on)，可实现更高功率密度。这款功率MOSFET具有30V VDS 和非常低的RDS x Qg 品质因数 (FOM)。SiSS52DN N沟道MOSFET通常具有162A ID 和19.9nC Qg。而SiSS54DN N 沟道MOSFET通常具有185.6A ID 和21nC Qg 。这款经过100% Rg 和无钳位电感开关 (UIS) 测试的MOSFET采用具有一个配置的紧凑型热增强PowerPAK® 1212-8S封装。典型应用包括直流/直流转换器、负载点 (POL)、同步整流、电源和负载开关以及电池管理。

库存量: 4,101

库存：
4,101
可立即发货
在途量:
12,000
预期 2026/8/6
8,985
预期 2026/8/14
生产周期：
7
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1   最多： 6000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥30.4422 ¥30.44
¥20.1027 ¥201.03
¥14.3962 ¥1,439.62
¥11.7407 ¥5,870.35
¥11.5825 ¥11,582.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥11.0853 ¥33,255.90
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。