SISF04DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF04DN-T1-GE3
SISF04DN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

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封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥16.5432 ¥16.54
¥10.509 ¥105.09
¥7.0173 ¥701.73
¥5.7517 ¥2,875.85
¥5.0398 ¥5,039.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥4.633 ¥13,899.00
¥4.2036 ¥25,221.60
¥4.1471 ¥37,323.90
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
2 Channel
30 V
108 A
4 mOhms
- 12 V, 16 V
2.3 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
69.4 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 6 ns
正向跨导 - 最小值: 115 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 21 ns
系列: SISF
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 1 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

带共漏极的集成MOSFET

Vishay带共漏极的集成MOSFET是采用表面贴装的1、2和3通道器件。集成MOSFET具有N通道和N+P通道选项，以及20V至200V的击穿电压范围。增强型MOSFET具有6或8个引脚，功耗范围为1.5W至69.4W，漏源电阻为2.15mΩ至26mΩ。

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