SISF20DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF20DN-T1-GE3
SISF20DN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD

数据表:
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库存量: 3,592

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¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥19.6055 ¥19.61
¥12.5769 ¥125.77
¥8.5993 ¥859.93
¥7.0173 ¥3,508.65
¥6.6444 ¥6,644.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥5.7291 ¥17,187.30
¥5.3223 ¥31,933.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212SCD-8
N-Channel
2 Channel
60 V
20 A
13 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
69.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: SISF
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 488.500 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

带共漏极的集成MOSFET

Vishay带共漏极的集成MOSFET是采用表面贴装的1、2和3通道器件。集成MOSFET具有N通道和N+P通道选项，以及20V至200V的击穿电压范围。增强型MOSFET具有6或8个引脚，功耗范围为1.5W至69.4W，漏源电阻为2.15mΩ至26mΩ。

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合，适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

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