SQJ186EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ186EP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ186EP-T1_GE3
Price: 11.79 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SQJ186EP-T1_GE3

制造商编号：

SQJ186EP-T1_GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

数据表:

SQJ186EP-T1_GE3 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Vishay Semiconductors SQJ186EP-T1_GE3详情

库存量: 24,264

库存：: 24,264 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥13.3227	¥13.32
	¥8.4411	¥84.41
	¥5.6274	¥562.74
	¥4.4296	¥2,214.80
	¥4.0454	¥4,045.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥3.729	¥11,187.00
	¥3.4239	¥20,543.40
	¥3.3448	¥80,275.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	60 A
Rds On-漏源导通电阻:	15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	24 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	135 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
产品类型:	MOSFETs
系列:	SQJ
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SQJ186EP-T1_GE3 数据表

Technical Resources

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SQJ车用MOSFET

Vishay/Siliconix SQJ车用MOSFET是TrenchFET^®Gen IV N沟道40V_DS功率MOSFET。这些MOSFET符合AEC-Q101标准，并且通过了R_g和无钳位电感开关 (UIS) 测试，Q_gd/Q_gs比小于1，可优化开关特性。SQJ车用MOSFET具有非常低的R_DS(on)，工作温度范围为-55°C至175°C。这些车规级MOSFET采用PowerPAK^® SO-8L封装（单/双配置）。典型应用包括汽车、发动机管理、电机驱动器和执行器，以及电池管理。