SQJ443AEP-T1_GE3 MOSFET

结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Vishay / Siliconix MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
数据表
2,173库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 8.1 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET PPAKSO8 P-CH 30V 40A
数据表
N/A

Si
Vishay MOSFET
数据表
N/A