您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

SQJ850EP-T2_GE3

Name: Vishay SQJ850EP-T2_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ850EP-T2_GE3
Price: 15.74 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SQJ850EP-T2_GE3

制造商编号：

SQJ850EP-T2_GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

SQJ850EP-T2_GE3 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Vishay / Siliconix SQJ850EP-T2_GE3详情

库存量: 51,225

库存：: 51,225 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥17.7862	¥17.79
	¥11.413	¥114.13
	¥7.6727	¥767.27
	¥6.0907	¥3,045.35
	¥5.5822	¥5,582.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥5.311	¥15,933.00
	¥5.1415	¥30,849.00
	¥5.0737	¥45,663.30

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	24 A
Rds On-漏源导通电阻:	23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	20 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	45 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
产品类型:	MOSFETs
系列:	SQJ
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SQJ850EP-T2_GE3 数据表

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

SQJ车用MOSFET

Vishay/Siliconix SQJ车用MOSFET是TrenchFET^®Gen IV N沟道40V_DS功率MOSFET。这些MOSFET符合AEC-Q101标准，并且通过了R_g和无钳位电感开关 (UIS) 测试，Q_gd/Q_gs比小于1，可优化开关特性。SQJ车用MOSFET具有非常低的R_DS(on)，工作温度范围为-55°C至175°C。这些车规级MOSFET采用PowerPAK^® SO-8L封装（单/双配置）。典型应用包括汽车、发动机管理、电机驱动器和执行器，以及电池管理。