SSM3K2615TU,LF

Toshiba
757-SSM3K2615TULF
SSM3K2615TU,LF

制造商:

说明:
MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UFM-3
N-Channel
1 Channel
60 V
2 A
300 mOhms
- 20 V, 20 V
800 mV
6 nC
+ 150 C
1.6 W
Enhancement
AEC-Q101
MOSV
Reel
Cut Tape
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 50 ns
正向跨导 - 最小值: 1 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 25 ns
系列: SSM3K2615TU
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 150 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 6.600 mg
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已选择的属性: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products
may be used as engineering samples, however; they are not intended for
volume automotive production or reliability testing without prior
approval by Toshiba Semiconductor and Storage.
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for
further assistance.
5-0320-2

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (VDS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (VGS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

库存量: 5,999

库存:
5,999 可立即发货
生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥5.9551 ¥5.96
¥3.7064 ¥37.06
¥2.3843 ¥238.43
¥1.808 ¥904.00
¥1.6159 ¥1,615.90
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥1.3786 ¥4,135.80
¥1.2656 ¥7,593.60
¥1.10062 ¥9,905.58