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SSM6J502NU,LF

Name: Toshiba SSM6J502NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6J502NULF
Price: 5.05 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

757-SSM6J502NULF

制造商编号：

SSM6J502NU,LF

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

数据表:

SSM6J502NU,LF 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥5.7065	¥5.71
	¥3.503	¥35.03
	¥2.2487	¥224.87
	¥1.7063	¥853.15
	¥1.5255	¥1,525.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.2995	¥3,898.50
	¥1.1865	¥7,119.00
	¥1.02604	¥24,624.96

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	UDFN6B-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	6 A
Rds On-漏源导通电阻:	60.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Pd-功率耗散:	1 W
商标名:	U-MOSVI
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Toshiba
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	SSM6J502
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
单位重量:	8.500 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

SSM6J502NU,LF 数据表 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 泰国
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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