SSM6N357R,LF

Toshiba
757-SSM6N357RLF
SSM6N357R,LF

制造商：

说明：
MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
2 Channel
60 V
650 mA
1.8 Ohms
- 12 V, 12 V
1.3 V
1.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
AEC-Q101
MOSV
Reel
Cut Tape
商标: Toshiba
配置: Dual
正向跨导 - 最小值: 500 mS
产品类型: MOSFETs
系列: SSM6N357R
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 3000 ns
典型接通延迟时间: 990 ns
单位重量: 20 mg
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已选择的属性: 0 

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
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further assistance.
5-0320-2

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

汽车解决方案

Toshiba汽车解决方案提供设计用于提高驾驶安全性的各种汽车半导体器件。这包括采用图像识别处理器的高级驾驶辅助系统 (ADAS)。Toshiba提供面向未来的尖端半导体技术，以提供综合驾驶辅助解决方案。这些解决方案包括模拟人眼和其他复杂人类感官的自动驾驶。

MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (VDS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (VGS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

SSM6N357R & SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs

Toshiba SSM6N357R and SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs are silicon N-channel components designed for relay driver applications. The SSM6N357R,LF comes with two channels, whereas the SSM3K357R,LF comes with a single channel. These AEC-Q101-qualified MOSFETs feature a 3V gate drive voltage, built-in internal Zener diodes/resistors, and a 2kV class Human Body Model (HBM) ESD rating. The low ON-resistance MOSFETs offer 60V drain-source voltage, ±12V gate-source voltage, +150°C maximum channel temperature, and 12.6mJ single-pulse avalanche energy.

SSM6x N沟道和P沟道 MOSFET

Toshiba SSM6x N沟道和P沟道MOSFET具有高速切换能力，可用作电源管理和模拟开关。 这些MOSFET针对不同的栅极至源极电压范围提供非常低的导通电阻（低至1.1 mΩ，最大115 mΩ）。SSM6x MOSFET采用小型封装，兼容表面贴装。这些MOSFET具有低汲极至源极导通电阻，可用作DC转DC转换器，驱动1.2V至4.5V的闸极电压。Toshiba SSM6x MOSFET的汲极功耗较低（最高150 mW），在12V至100V输入电压范围内作业时发热较少。

库存量: 17,763

库存：
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生产周期：
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥10.6672 ¥10.67
¥7.4467 ¥74.47
¥4.7121 ¥471.21
¥2.9154 ¥1,457.70
¥2.147 ¥2,147.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.9097 ¥5,729.10
¥1.6498 ¥9,898.80
¥1.4351 ¥12,915.90
¥1.1752 ¥28,204.80

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