ST8L65N044M9

STMicroelectronics
511-ST8L65N044M9
ST8L65N044M9

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
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库存量: 236

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥63.1105 ¥63.11
¥44.5785 ¥445.79
¥37.1431 ¥3,714.31
¥33.0864 ¥16,543.20
¥29.4478 ¥29,447.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥29.4478 ¥88,343.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5
N-Channel
1 Channel
650 V
58 A
44 mOhms
30 V
4.2 V
110 nC
- 55 C
+ 150 C
166 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7 ns
系列: MDmesh DM9
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 180 mg
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M9 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具有增强器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。这些功率MOSFET具有高反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt稳健性、大功率密度和低导通损耗。MDmesh M9功率MOSFET还具有高开关速度、高效率和低开关功率损耗。这些功率MOSFET设计采用创新的高压超级结技术，具有出色的品质因数 (FoM)。高FoM可实现更高的功率水平和密度，从而实现更紧凑的解决方案。典型应用包括服务器、电信数据中心、5G电源站、微逆变器和快速充电器。

STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET设计用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积RDS(on)，联接有快速恢复二极管。该器件采用了创新的超结MDmesh DM9技术，提供一种多漏极制造工艺，从而可以增强器件结构。

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