STD80N340K6

Name: STMicroelectronics STD80N340K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N340K6
Price: 31.55 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STD80N340K6

制造商编号：

STD80N340K6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥35.6515	¥35.65
	¥23.4927	¥234.93
	¥16.6223	¥1,662.23
	¥15.2211	¥7,610.55
	¥15.142	¥15,142.00
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥12.8255	¥32,063.75
	¥12.3283	¥61,641.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	340 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	17.8 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	92 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
下降时间:	11 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.9 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	34 ns
典型接通延迟时间:	13 ns
单位重量:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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