STF80N240K6

STMicroelectronics
511-STF80N240K6
STF80N240K6

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
完成您的设计

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics STF80N240K6详情

库存量: 1,023

库存：
1,023 可立即发货
生产周期：
13 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥49.0533 ¥49.05
¥37.0527 ¥370.53
¥29.945 ¥2,994.50
¥26.6341 ¥13,317.05
¥22.826 ¥22,826.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
16 A
220 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
25.9 nC
- 55 C
+ 150 C
27 W
Enhancement
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5.3 ns
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 47.8 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N沟道MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET具有齐纳保护和100%雪崩测试。这些功率MOSFET的汲极/源极击穿电压最小为800V，±30V栅极/源极电压，工作结温范围为-55°C至150°C。MDmesh K6功率MOSFET还具有5V/ns峰值二极管恢复电压斜坡、100A/µs峰值二极管恢复电流斜坡以及120V/ns MOSFET dv/dt的坚固性。典型应用包括笔记本电脑和一体机、反激式转换器、平板电脑适配器和LED灯。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。