STGB30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGB30M65DF2
STGB30M65DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 1,470

库存:
1,470 可立即发货
生产周期:
15 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥26.6341 ¥26.63
¥17.3681 ¥173.68
¥12.0797 ¥1,207.97
¥10.2604 ¥5,130.20
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)
¥9.0174 ¥9,017.40
¥8.2716 ¥16,543.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGB30M65DF2
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 1.380 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

意法半导体 650V M 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

意法半导体 650V M 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是一款高速 IGBT,采用了先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构。650V M 系列提供 3A-150A 最大集电极电流,适用于工作频率高达 100kHz 的应用。它们具有经优化的设计,可定制成内嵌反向并联二极管。
了解更多