STGP30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGP30H60DFB
STGP30H60DFB

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

ECAD模型:
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库存量: 779

库存:
779
可立即发货
在途量:
2,000
预期 2026/8/6
生产周期:
15
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.8036 ¥26.80
¥15.142 ¥151.42
¥11.5825 ¥1,158.25
¥9.4242 ¥4,712.10
¥8.3507 ¥8,350.70
¥8.136 ¥16,272.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGP30H60DFB
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 60 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

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