STGP30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP30M65DF2
STGP30M65DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

ECAD模型:
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库存量: 980

库存:
980 可立即发货
生产周期:
15 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.3064 ¥26.31
¥11.9102 ¥119.10
¥10.9158 ¥1,091.58
¥9.5937 ¥4,796.85
¥8.8479 ¥8,847.90
¥8.2716 ¥16,543.20
¥8.1925 ¥40,962.50

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGP30M65DF2
Tube
商标: STMicroelectronics
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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