STHU65N050DM9AG

STMicroelectronics
511-STHU65N050DM9AG
STHU65N050DM9AG

制造商:

说明:
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

寿命周期:
新产品:
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库存量: 403

库存:
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生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥78.5802 ¥78.58
¥58.3984 ¥583.98
¥48.6352 ¥4,863.52
整卷卷轴(请按600的倍数订购)
¥43.3468 ¥26,008.08
¥38.6234 ¥46,348.08

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HU3PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
51 A
50 mOhms
30 V
4.5 V
100 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7 ns
系列: MDmesh M9
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
单位重量: 2.320 g
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已选择的属性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M9 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具有增强器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。这些功率MOSFET具有高反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt稳健性、大功率密度和低导通损耗。MDmesh M9功率MOSFET还具有高开关速度、高效率和低开关功率损耗。这些功率MOSFET设计采用创新的高压超级结技术,具有出色的品质因数 (FoM)。高FoM可实现更高的功率水平和密度,从而实现更紧凑的解决方案。典型应用包括服务器、电信数据中心、5G电源站、微逆变器和快速充电器。