STI28N60M2

Name: STMicroelectronics STI28N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STI28N60M2
Price: 24.38 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STI28N60M2

制造商编号：

STI28N60M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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	¥15.142	¥151.42
	¥12.4074	¥1,240.74
	¥10.9158	¥5,457.90
	¥10.8367	¥10,836.70
	¥10.7576	¥21,515.20
	¥10.6672	¥53,336.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	22 A
Rds On-漏源导通电阻:	135 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	36 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	170 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7.2 ns
系列:	STI28N60M2
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	100 ns
典型接通延迟时间:	14.5 ns
单位重量:	1.460 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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