STL325N4F8AG

STMicroelectronics
511-STL325N4F8AG
STL325N4F8AG

制造商：

说明：
MOSFET Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥26.8827 ¥26.88
¥17.5376 ¥175.38
¥12.2379 ¥1,223.79
¥10.4186 ¥5,209.30
¥9.6728 ¥9,672.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥8.4411 ¥25,323.30
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
40 V
373 A
1.1 mOhms
- 16 V, 16 V
2 V
95 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 21 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6.5 ns
系列: STripFET F8
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 89 ns
典型接通延迟时间: 12.5 ns
单位重量: 76 mg
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET F8N通道功率MOSFET

STMicroelectronics的 STripFET F8 N沟道功率MOSFET符合AEC-Q101标准，并提供30V至150V的全面封装解决方案，以满足超高功率密度解决方案的所有要求。这些低压MOSFET采用STPOWER STripFET F8技术。条形场效应晶体管F8技术通过降低导通电阻和开关损耗，同时优化体二极管特性，来节省能量并确保电源转换、电机控制和配电电路的低噪声。STMicroelectronics的 F8 N沟道功率MOSFET可简化系统设计，提高汽车、计算机/外设、数据中心、电信、太阳能、电源/转换器、电池充电器、家用/专业电器、游戏、无人机等应用的效率。

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