STP80N240K6

STMicroelectronics
511-STP80N240K6
STP80N240K6

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
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库存量: 75

库存：
75
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在途量:
1,000
预期 2026/9/21
生产周期：
13
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥50.9517 ¥50.95
¥27.5494 ¥275.49
¥25.2329 ¥2,523.29
¥21.0971 ¥10,548.55
¥20.5095 ¥20,509.50

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
220 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
25.9 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
下降时间: 12 s
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5.3 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 47.8 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STP80N240K6 MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6功率MOSFET基于终极MDmesh K6技术，基于20年的超级结技术STM经验。此款高压N沟道功率MOSFET具有超低栅极电荷和出色的RDS(on) x 面积。ST STP80N240K6 800 V功率MOSFET具有同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷，适用于需要出色功率密度和高效率的应用。

N沟道MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET具有齐纳保护和100%雪崩测试。这些功率MOSFET的汲极/源极击穿电压最小为800V，±30V栅极/源极电压，工作结温范围为-55°C至150°C。MDmesh K6功率MOSFET还具有5V/ns峰值二极管恢复电压斜坡、100A/µs峰值二极管恢复电流斜坡以及120V/ns MOSFET dv/dt的坚固性。典型应用包括笔记本电脑和一体机、反激式转换器、平板电脑适配器和LED灯。

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