TAV1-331NM+

Name: Mini-Circuits TAV1-331NM+
Brand: Mini-Circuits
SKU: 139-TAV1-331NM+
Price: 151.01 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

139-TAV1-331NM+

制造商编号：

TAV1-331NM+

制造商：

Mini-Circuits

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz

数据表:

TAV1-331NM+ 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Mini-Circuits TAV1-331NM+详情

库存量: 459

库存：: 459 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 8 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥170.6413	¥170.64
	¥22.1706	¥443.41
整卷卷轴（请按500的倍数订购）
	¥20.7581	¥10,379.05
	¥19.436	¥19,436.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Mini-Circuits
产品种类:	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:
晶体管极性:	N-Channel
技术:	GaAs
Id-连续漏极电流:	60 mA
Vds-漏源极击穿电压:	4 V
工作频率:	10 MHz to 4 GHz
增益:	12.3 dB
输出功率:	21.5 dBm
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Mini-Circuits
正向跨导 - 最小值:	282 mS
通道数量:	1 Channel
Pd-功率耗散:	400 mW
产品类型:	RF MOSFET Transistors
系列:	TAV1
工厂包装数量:	500
子类别:	MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:	- 690 mV

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

TAV1-331NM+ 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

TAV1 Transistors

Mini-Circuits TAV1-331NM+ and TAV1-541NM+ Transistors are designed with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package. The transistors feature a low noise figure, a high gain, and a high output IP3, which makes them ideal for sensitive receivers in communications systems. Mini-Circuits TAV1-331NM+ and TAV1-541NM+ Transistors provide a non-ferrous package leadframe that is non-magnetic for use in MRI and other magnetic-sensitive applications. The transistors are also utilized in 5G MIMO radio systems, Wi-Fi® 6, tactical radio, and orthogonal frequency-division multiplexing (OFDM) applications.