TK110A65Z,S4X

Toshiba
757-TK110A65ZS4X
TK110A65Z,S4X

制造商:

说明:
MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
110 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
Tube
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 28 ns
系列: DTMOS VI
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 52 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V DTMOS-VI超级结MOSFET

Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET设计用于在开关电源下工作。该系列N沟道MOSFET具有高速开关特性和较低电容。 650V DTMOS-VI超级结MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏电流导通电阻。这些器件具有10V漏源电压。