TK125V65Z,LQ

Toshiba
757-TK125V65ZLQ
TK125V65Z,LQ

制造商：

说明：
MOSFET MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI

数据表:
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库存量: 7,281

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥55.5056 ¥55.51
¥37.4708 ¥374.71
¥27.798 ¥2,779.80
¥27.7076 ¥27,707.60
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥22.5774 ¥56,443.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
125 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 18 ns
系列: DTMOS VI
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
单位重量: 161.193 mg
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V DTMOS-VI超级结MOSFET

Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET设计用于在开关电源下工作。该系列N沟道MOSFET具有高速开关特性和较低电容。 650V DTMOS-VI超级结MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏电流导通电阻。这些器件具有10V漏源电压。

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