TK170V65Z,LQ

Toshiba
757-TK170V65ZLQ
TK170V65Z,LQ

制造商:

说明:
MOSFET MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI

ECAD模型:
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库存量: 4,720

库存:
4,720 可立即发货
生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于4720的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥38.7929 ¥38.79
¥26.216 ¥262.16
¥21.3457 ¥2,134.57
¥20.7581 ¥10,379.05
¥18.8597 ¥18,859.70
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥16.3737 ¥40,934.25
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
18 A
170 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 16 ns
系列: DTMOS VI
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V DTMOS-VI超级结MOSFET

Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET设计用于在开关电源下工作。该系列N沟道MOSFET具有高速开关特性和较低电容。 650V DTMOS-VI超级结MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏电流导通电阻。这些器件具有10V漏源电压。