TK210V65Z,LQ

Toshiba
757-TK210V65ZLQ
TK210V65Z,LQ

制造商:

说明:
MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
20 周 预计工厂生产时间。
最少: 2500   倍数: 2500
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥14.5544 ¥36,386.00

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
210 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
Reel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 14 ns
系列: DTMOS VI
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 66 ns
典型接通延迟时间: 34 ns
单位重量: 161.193 mg
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V DTMOS-VI超级结MOSFET

Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET设计用于在开关电源下工作。该系列N沟道MOSFET具有高速开关特性和较低电容。 650V DTMOS-VI超级结MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏电流导通电阻。这些器件具有10V漏源电压。