UF3SC065040B7S

Name: onsemi UF3SC065040B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065040B7S
Price: 143.35 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

431-UF3SC065040B7S

制造商编号：

UF3SC065040B7S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263

数据表:

UF3SC065040B7S 数据表

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¥-.--

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥161.9855	¥161.99
	¥115.1583	¥1,151.58
	¥100.7508	¥10,075.08
	¥97.7902	¥48,895.10
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥94.0612	¥75,248.96

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	43 A
Rds On-漏源导通电阻:	42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	6 V
Qg-栅极电荷:	43 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	195 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SiC FET
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9 ns, 12 ns
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	SiC FETs
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	24 ns, 27 ns
系列:	UF3SC
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
技术:	SiC
类型:	SiC FET
典型关闭延迟时间:	45 ns, 47 ns
典型接通延迟时间:	22 ns
单位重量:	4.675 g

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

采用D2-PAK封装的UF3SC高性能碳化硅FET

Qorvo UF3SC高性能碳化硅FET采用D2-PAK-7L (7引脚Kelvin封装），基于独特的“共源共栅”电路配置，具有出色的反向恢复特性。此电路配置包括一个与Si MOSFET共同封装的常开SiC JFET，以打造常闭SiC FET器件。UF3SC FET具有标准栅极驱动特性，支持真正的 “直接替换” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结器件。这些高性能碳化硅FET的最高工作温度为175°C，低栅极电荷为43nC，典型阈值电压为5V。典型应用包括电信和服务器电源、电机驱动器、感应加热和工业电源。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650V和1200V高性能碳化硅FET

Qorvo UF3SC 650V和1200V高性能SiC FET是碳化硅器件，具有7mΩ至45mΩ的低R_DS(on)，可实现快速开关和更低的开关损耗。这些器件基于独特的共源共栅电路配置，具有超低栅极电荷。级联配置采用常开SiC JFET与硅MOSFET共同封装，以产生常闭SiC FET器件。UF3SC FET具有标准栅极驱动特性，可真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或硅超结器件。这些碳化硅FET具有低内在电容和出色的反向恢复性能。Qorvo UF3SC FET的工作温度范围为-55°C至+175°C，栅极-源极电压范围为-20V至+20V。这些碳化硅FET非常适合用于电动汽车(EV)充电、光伏(PV)逆变器、电机驱动器、开关模式电源、功率因数校正 (PFC) 模块和感应加热。Qorvo UF3SC碳化硅FET采用TO-247-3L和TO-247-4L封装选项，可实现更快开关和干净的栅极波形。