UF3SC120009K4S

Name: onsemi UF3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC120009K4S
Price: 549.09 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

431-UF3SC120009K4S

制造商编号：

UF3SC120009K4S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET 1200V/9MOSICFETG3TO247

数据表:

UF3SC120009K4S 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	234 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	789 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	SiC FET
商标:	onsemi
配置:	Single
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
系列:	UF3SC
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
单位重量:	6 g

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数据表

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Models

UF3SC120009K4S SPICE (文本)

PCN

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650V和1200V高性能碳化硅FET

Qorvo UF3SC 650V和1200V高性能SiC FET是碳化硅器件，具有7mΩ至45mΩ的低R_DS(on)，可实现快速开关和更低的开关损耗。这些器件基于独特的共源共栅电路配置，具有超低栅极电荷。级联配置采用常开SiC JFET与硅MOSFET共同封装，以产生常闭SiC FET器件。UF3SC FET具有标准栅极驱动特性，可真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或硅超结器件。这些碳化硅FET具有低内在电容和出色的反向恢复性能。Qorvo UF3SC FET的工作温度范围为-55°C至+175°C，栅极-源极电压范围为-20V至+20V。这些碳化硅FET非常适合用于电动汽车(EV)充电、光伏(PV)逆变器、电机驱动器、开关模式电源、功率因数校正 (PFC) 模块和感应加热。Qorvo UF3SC碳化硅FET采用TO-247-3L和TO-247-4L封装选项，可实现更快开关和干净的栅极波形。