VS-4C16ET07T-M3

Vishay Semiconductors
78-VS-4C16ET07T-M3
VS-4C16ET07T-M3

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 SicG4TO-2202L

寿命周期:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
16 A
650 V
1.3 V
101 A
94 uA
- 55 C
+ 175 C
VS-4C16ET07T-M3
Tube
商标: Vishay Semiconductors
Pd-功率耗散: 103 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 1000
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 650 V
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiC肖特基功率二极管

Vishay Semiconductors SiC肖特基功率二极管是先进的高性能整流器，旨在为要求苛刻的电力电子设备应用提供卓越的效率、坚固性和可靠性。这些Vishay二极管基于宽带隙SiC技术，具有几乎零反向恢复电荷、极快的开关能力和温度不变性能，是下一代高频电源转换系统的理想选择。

库存量: 930

库存：
930 可立即发货
生产周期：
23 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥40.2845 ¥40.28
¥26.3855 ¥263.86
¥19.6846 ¥1,968.46
¥17.1195 ¥8,559.75
¥14.4753 ¥14,475.30

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