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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB 交货期 16 周
最低: 50
倍数: 50

Qorvo 射频放大器 1.5-2.3GHz NF .67dB High Gain 18dB 无库存交货期 16 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt 无库存交货期 26 周
最低: 50
倍数: 10


MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W 无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250


MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W 无库存交货期 26 周
最低: 50
倍数: 50
: 50

MACOM GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 160
倍数: 160
: 160

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 无库存交货期 52 周
最低: 100
倍数: 100
: 100

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低: 50
倍数: 50
: 50

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250

Qorvo 射频放大器 CATV Linearized Differential Amplifier 无库存交货期 20 周
最低: 1
倍数: 1
: 1,000


MACOM 射频放大器 45-1218MHz Gain 18dB NF 3.8dB Max 75 Ohm 无库存交货期 14 周


Analog Devices / Maxim Integrated 射频放大器 Broadband Gain Block

Analog Devices / Maxim Integrated 射频放大器 GPS/GNSS LNAs with Antenna Switch and Bi

Analog Devices 射频放大器 E-band VGA 3Ghz

Analog Devices 音频放大器 Mono 2W class D Audio Amp

Analog Devices 射频放大器 DC-6GHz Low Phase Noise Amp

MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-4GHz, 120W, G28V5

Analog Devices 音频放大器 Mono 2.8W class D Audio Amp


Analog Devices / Maxim Integrated 射频放大器 Broadband Gain Block

Analog Devices 射频放大器 GaAs PHEMT MMIC Med PA, 5 - 18 GHz

Mini-Circuits 射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS

Analog Devices 射频放大器 GaAs PHEMT MMIC Med PA, 5 - 18 GHz