STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 配置 If - 正向电流 Vrrm - 重复反向电压 Vf - 正向电压 Ifsm - 正向浪涌电流 Ir - 反向电流 最小工作温度 最大工作温度 资格 封装
STMicroelectronics 碳化硅肖特基二极管 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode 2,480库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT SMBF-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 30 A 4 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 碳化硅肖特基二极管 Automotive 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
5,000预期 2026/3/12
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT SMBF-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 30 A 4 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel