STDRIVEG210QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG210QTR
STDRIVEG210QTR

制造商:

说明:
栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

寿命周期:
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¥-.--
总价:
¥-.--
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整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥33.2559 ¥33.26
¥22.0011 ¥220.01
¥20.0123 ¥500.31
¥17.0404 ¥1,704.04
¥16.1251 ¥4,031.28
¥14.4753 ¥7,237.65
¥13.56 ¥13,560.00
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥11.4921 ¥34,476.30
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
2 Output
9.2 V
18 V
22 ns
11 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
输入电压 - 最大值: 20 V
工作电源电流: 920 uA
输出电压: 220 V
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 60 ns
Rds On-漏源导通电阻: 7 Ohms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
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已选择的属性: 0

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG600半桥栅极驱动器

STMicroelectronics  STDRIVEG600半桥栅极驱动器是一款单芯片半桥栅极驱动器,用于GaN(氮化镓)eHEMT(增强模式高电子迁移率晶体管)或N沟道功率MOSFET。STDRIVEG600的高侧设计用于承受高达600V的电压,适合用于总线电压高达500V的设计。该器件具有大电流能力、短传播延迟以及低至5V的工作电源电压,因此非常适合用于驱动高速GaN和硅FET。 

STDRIVEG210半桥栅极驱动器

STMicroelectronics  STDRIVEG210半桥栅极驱动器设计用于N 沟道增强模式GaN,高侧驱动器部分可承受高达220V电压轨。这些驱动器具有大电流能力、短传播延迟和出色的延迟匹配,并集成了低压差稳压器 (LDO)。这使得它们非常适合驱动高速GaN。STDRIVEG210半桥栅极驱动器具有针对快速启动和低功耗软开关应用量身定制的电源UVLO功能。高侧稳压器的特点是唤醒时间非常短,可以在间歇操作(突发模式)期间最大限度地提高应用效率。这些驱动器提供了扩展的输入引脚范围,便于与控制器连接。待机引脚可在非活动期或突发模式下降低功耗。应用包括DC/DC、AC/DC、谐振转换器、同步整流、UPS、适配器、LED灯和USB-C。