STDRIVEG610半桥栅极驱动器

STMicroelectronics  STDRIVEG610半桥栅极驱动器是高性能设备，专为在各种电源转换应用中驱动N沟道MOSFET或IGBT设计。STMicroelectronics  STDRIVEG610具有 单输入控制 和 引导操作，只需极少的外部组件即可实现高效的高侧和低侧切换。该设备支持高达600V 的高侧驱动器，并在低端和高端均包含欠压锁定 (UVLO)  保护，以确保安全运行。由于 具有50ns的典型传播延迟和匹配的延迟时间，STDRIVEG610 IC非常适合高频开关应用，例如 电机控制、电源和逆变器。紧凑的设计、强大的保护功能和宽的工作电压范围使STDRIVEG610半桥栅极驱动器成为寻求高效紧凑型栅极驱动器解决方案的设计人员的可靠选择。