STL305N4F8AG

STMicroelectronics
511-STL305N4F8AG
STL305N4F8AG

制造商:

说明:
MOSFET N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm 290A Automotive STripFET F8 Power MOSFET

寿命周期:
新产品:
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在途量:
3,000
预期 2026/4/13
生产周期:
20
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最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥23.5718 ¥23.57
¥15.3002 ¥153.00
¥10.5881 ¥1,058.81
¥8.6897 ¥4,344.85
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥8.1021 ¥24,306.30
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
N-Channel
290 A
1.1 mOhms
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: IT
产品类型: MOSFETs
系列: STripFET F8
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 76 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET F8N通道功率MOSFET

STMicroelectronics的 STripFET F8 N沟道功率MOSFET符合AEC-Q101标准,并提供30V至150V的全面封装解决方案,以满足超高功率密度解决方案的所有要求。这些低压MOSFET采用STPOWER STripFET F8技术。条形场效应晶体管F8技术通过降低导通电阻和开关损耗,同时优化体二极管特性,来节省能量并确保电源转换、电机控制和配电电路的低噪声。STMicroelectronics的 F8 N沟道功率MOSFET可简化系统设计,提高汽车、计算机/外设、数据中心、电信、太阳能、电源/转换器、电池充电器、家用/专业电器、游戏、无人机等应用的效率。