STW75N60DM6

STMicroelectronics
511-STW75N60DM6
STW75N60DM6

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 280

库存:
280 可立即发货
生产周期:
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥85.3602 ¥85.36
¥63.8563 ¥638.56
¥52.4433 ¥5,244.33
¥47.8103 ¥28,686.18
¥43.505 ¥52,206.00
3,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
72 A
36 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
117 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
产品类型: MOSFETs
系列: DM6
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
单位重量: 6 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

600V MDmesh™ DM6超级结MOSFET

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6超级结MOSFET优化用于ZVS、全桥和半桥拓扑。MDmesh DM6功率MOSFET具有600V击穿电压,将经优化的电容曲线和终身破坏工艺相结合。MDmesh DM6 MOSFET具有低栅极电荷 (Qg)、非常低的恢复电荷 (Qrr)、较短恢复时间 (trr) 以及出色的每区域RDS(on)