X2-Class IXYS MOSFET

结果: 71
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
IXYS MOSFET 650V/8A TO-263 无库存交货期 27 周
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 700V 4A N-CH X2CLASS 无库存交货期 41 周
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO251 700V 4A N-CH X2CLASS 无库存交货期 41 周
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-247-4L 无库存交货期 27 周
最低: 300
倍数: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/12A TO-263 无库存交货期 27 周
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 34A N-CH X2CLASS 无库存交货期 27 周
最低: 300
倍数: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 26A N-CH X2CLASS 无库存交货期 27 周
最低: 300
倍数: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2 无库存交货期 27 周
最低: 300
倍数: 25
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS 无库存交货期 41 周
最低: 300
倍数: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET 无库存交货期 41 周
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO263 650V 20A N-CH X3CLASS 无库存交货期 41 周
最低: 300
倍数: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 650V 34A N-CH X4CLASS 无库存交货期 27 周
最低: 300
倍数: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 20A N-CH X3CLASS 无库存交货期 41 周
最低: 300
倍数: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 20A N-CH X3CLASS 无库存交货期 41 周
最低: 300
倍数: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET ISOPLUS 650V 54A N-CH X2CLASS 无库存交货期 29 周
最低: 300
倍数: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 700V 12A N-CH X2CLASS 无库存交货期 41 周
最低: 300
倍数: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 700V 12A N-CH X2CLASS 无库存交货期 41 周
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 24A N-CH X2CLASS 无库存交货期 27 周
最低: 300
倍数: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS IXFP36N55X2
IXYS MOSFET TO220 550V 36A N-CH X2CLASS 无库存交货期 27 周
最低: 300
倍数: 50

Si Tube
IXYS IXFP14N55X2
IXYS MOSFET TO220 550V 14A N-CH X2CLASS 无库存交货期 27 周
最低: 300
倍数: 50

Si Tube
IXYS IXTA30N65X2
IXYS MOSFET TO263 650V 30A N-CH X2CLASS

Si Tube