X2-Class IXYS MOSFET

结果: 72
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET 650V/18A TO-263
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2-Class
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/18A TO-247
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/8A TO-263
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 700V 4A N-CH X2CLASS
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO251 700V 4A N-CH X2CLASS
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS
数据表
无库存交货期 21 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 34A N-CH X2CLASS
数据表
无库存交货期 21 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-247-4L
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/12A TO-263
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 25
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET TO263 650V 20A N-CH X3CLASS
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 650V 34A N-CH X4CLASS
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 300
倍数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET ISOPLUS 650V 54A N-CH X2CLASS
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 300
倍数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS IXFP36N55X2
IXYS MOSFET TO220 550V 36A N-CH X2CLASS 无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 50

Si Tube
IXYS IXFP14N55X2
IXYS MOSFET TO220 550V 14A N-CH X2CLASS 无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 50

Si Tube
IXYS MOSFET TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 300
倍数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS IXTA30N65X2
IXYS MOSFET TO263 650V 30A N-CH X2CLASS

Si Tube