所有结果 (3,359)

在下面选择类别,以查看过滤选项并缩小您的搜索。
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS

MACOM RF 开关 IC 50-20000MHz -65C +125C Iso 38dB 1,151库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MACOM RF 开关 IC 50-20000MHz -65C +125C Iso 40dB 781库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

MACOM RF 开关 IC DC-20GHz SPDT GaAs IL 2.5dB max 760库存量
3,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MACOM RF 开关 IC DC-3.0GHz ISO 22dB IL <.3dB @ 2.4GHz 72,919库存量
34,976在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MACOM RF 开关 IC 10-3000MHz ISO 57dB IL .7db @1.9GHz 6,507库存量
2,675预期 2026/6/19
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MACOM RF 开关 IC DC-2.0GHz IL <.5dB@900MHz 18,498库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MACOM RF 开关 IC DC-6GHz SPDT IL .75dB @5.8GHz 2,893库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MACOM 变容二极管 Rev. Voltage 30V Pwr Dis. 250mW 9,760库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB 657库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB 307库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB 40库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB 352库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB 119库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,25W,30MHz,28V 100库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB 327库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt 496库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 35W GaN HEMT 24V 4GHz Flange 59库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 887库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W 30库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN 37库存量
30预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt 72库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 2,660库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 280库存量
160预期 2026/11/30
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
20库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt 75库存量
最低: 1
倍数: 1