D3 EliteSiC二极管

onsemi D3 EliteSiC二极管是一套用于需要大功率PFC和输出整流之应用的解决方案。  onsemi D3的最大额定电压为1200V。 这些二极管具有TO-247-2LD和TO-247-3LD两种封装选项,为各种设计提供灵活性。D3 EliteSiC二极管针对高温操作进行了优化,具有低串联电阻温度依赖性,即使在极端条件下也能确保稳定可靠的性能。

结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 配置 If - 正向电流 Vrrm - 重复反向电压 Vf - 正向电压 Ifsm - 正向浪涌电流 Ir - 反向电流 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装

onsemi 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L 463库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH50120C Tube

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L 593库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-2 Single 26 A 1.2 kV 1.75 V 119 A 2.06 uA - 55 C + 175 C NDSH20120C-F155 Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 40 A, 1200 V, D3, TO-247-3L 1,198库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3LD Dual Anode Common Cathode 52 A 1.2 kV 1.36 V 123 A 2.39 uA - 55 C + 175 C NDSH40120CDN Tube

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L 1,266库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-2 Single 12 A 1.2 kV 1.75 V 546 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH10120C-F155 Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L 400库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 1.2 kV 1.75 V 59 A 1 uA - 55 C + 175 C NDSH20120CDN Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L 382库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 38 A 1.2 kV 1.75 V 91 A 1.5 uA - 55 C + 175 C NDSH30120CDN Tube

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L 865库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-2 Single 46 A 1.2 kV 1.75 V 195 A 9 uA - 55 C + 175 C NDSH40120C-F155 Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20A, 1200V, D3, TO-247-2L 450库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 119 A 200 uA - 55 C + 175 C NVDSH20120C Tube

onsemi 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L 174库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 119 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH20120C Tube

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
900预期 2026/2/17
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.75 V 161 A 5 uA - 55 C + 175 C NDSH30120C-F155 Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 50A, 1200V, D3, TO-247-2L

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C NVDSH50120C Tube