NCP5892增强型氮化镓功率开关

onsemi NCP5892增强型GaN功率开关在单一开关结构中集成了高性能、高频率硅（Si）驱动器和650V氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与分立解决方案GaN HEMT和外部驱动器相比，Si驱动器和功率GaN HEMT开关的强大组合可提供更出色的性能。安森美 (onsemi) NCP5892的集成功能可显著降低电路和封装的寄生效应，同时可实现更紧凑的设计。