结果: 19
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
数据表
2,048库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 83 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 154 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
数据表
1,866库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 77 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表
856库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 182 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
数据表
3,508库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
8,709库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 185 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
数据表
2,000库存量
3,000预期 2026/5/28
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 197 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 159 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
919库存量
1,000预期 2026/6/11
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 194 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表
1,154库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 191 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
77库存量
1,000预期 2026/5/26
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
数据表
1,638库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表
2,990库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
数据表
544库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
数据表
99库存量
5,000预期 2026/6/11
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 193 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
1,595库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 119 A 3.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表
41库存量
2,000预期 2026/7/15
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 115 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
数据表
931库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
2,195库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
数据表
967库存量
1,000预期 2026/5/26
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表
2,000预期 2026/11/12
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 196 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube