NXH240B120H3Q1x1G硅/碳化硅混合模块

安森美（onsemi）  NXH240B120H3Q1x1G Si/SiC混合功率集成模块 (PIM) 包含一个三通道1200 V IGBT+SiC升压模块和一个NTC热敏电阻。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT、一个30A SiC二极管、一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。 集成式场终止沟槽型IGBT和SiC二极管具有较低的导通损耗和开关损耗，可实现高效率和出色的可靠性。