MMIX1T500N20X4-TU

Name: IXYS MMIX1T500N20X4-TU
Brand: IXYS
SKU: 747-MMIX1T500N20X4TU
Price: 350.19 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-MMIX1T500N20X4TU

制造商编号：

MMIX1T500N20X4-TU

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET 200V < 2mohm X4 n-channel MOSFET in SMPD -X

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

MMIX1T500N20X4-TU 数据表 (PDF)

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	¥343.7686	¥3,437.69
	¥300.6704	¥30,067.04

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SMPD-24
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
Id-连续漏极电流:	480 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.99 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	535 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	1.07 kW
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	485 ns
正向跨导 - 最小值:	150 S
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	560 ns
工厂包装数量:	20
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N Channel
典型关闭延迟时间:	600 ns
典型接通延迟时间:	200 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

MMIX1T500N20X4-TU 数据表 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET

IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4级功率MOSFET是一种N沟道增强式MOSFET，具有高达200V的阻断电压和1.99mΩ的低R_DS(on) 。它具有低导通损耗，并减少了热耗散。高性能陶瓷基隔离封装可提高整体热阻R_th(j-s) 和功率处理能力。IXYS MMIX1T500N20X4具有可持续1分钟的2500V_AC（RMS）隔离电压，并且栅极电荷（Q_g）较低，只有535nC。