DXTN80x NPN双极晶体管

Diodes Incorporated DXTN80x NPN双极晶体管采用小尺寸、热效率高的PowerDI® 3333-8封装，可实现更高密度的最终产品。这些器件提供>30V、60V或100V的集电极-发射极电压和>8 V的发射极-基极电压。DXTN80x非常适合高温环境，其温度额定值为+175°C。Diodes Inc. DXTN80x NPN双极晶体管非常适合电机、螺线管、继电器和致动器驱动器控制。

结果: 3
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
Pd-功率耗散
增益带宽产品fT
最小工作温度
最大工作温度
资格
系列
封装
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
1,592库存量
2,000预期 2026/4/8
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
3,880库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
1,592库存量
2,000预期 2026/4/20
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape