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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Vishay / Siliconix MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
数据表
无库存
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
数据表
无库存
最低： 800
倍数： 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 310 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET
Vishay / Siliconix MOSFET 40 V 40A 150W AEC-Q101 Qualified
数据表
无库存
最低： 800
倍数： 800
卷轴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 130 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 40V 120A 300W AEC-Q101 Qualified
数据表
无库存
最低： 800
倍数： 800
卷轴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 270 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V
数据表
Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 86 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V
数据表

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 82 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape