OptiMOS™ 7 40V车规功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 7 40V车规级功率MOSFET是一款大电流、低RDS(on) MOSFET，具有经过优化的开关行为特性。这些N沟道车规MOSFET具有大功率密度、低导通损耗和大电流密度。OptiMOS™ 7 MOSFET采用3mm x 3mm高级无引线封装，采用铜夹以实现低封装Ron和最小杂散电感。此系列MOSFET 100%经过雪崩测试，符合RoHS标准。OptiMOS™ 7 MOSFET非常适合用于配电、车窗升降、电动座椅、高冗余EPS和车身控制模块等应用。

结果: 28
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology
数据表
2,223库存量
10,000预期 2026/8/6
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
数据表
4,970预期 2026/11/12
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 129 A 2.46 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
数据表
20,000预期 2026/7/2
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.05 mOhms 16 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape