SI4056ADY-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SI4056ADY-T1-GE3
SI4056ADY-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

数据表:
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封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥10.509 ¥10.51
¥6.5879 ¥65.88
¥4.3392 ¥433.92
¥3.3787 ¥1,689.35
¥3.0736 ¥3,073.60
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥2.7346 ¥6,836.50
¥2.4182 ¥12,091.00
¥2.2939 ¥22,939.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
100 V
8.3 A
29.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
19.2 nC
- 55 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 49 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 750 mg
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已选择的属性: 0

数据表

Technical Resources

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

Si4056ADY N沟道MOSFET

Vishay/Siliconix Si4056ADY N沟道MOSFET采用SO-8封装，具有100V漏极-源极额定电压以及40A脉冲漏极电流。该MOSFET具有低RDS x Qg品质因数 (FOM)，经过调谐，可实现最低RDS x Qoss FOM。Vishay Si4056ADY N沟道MOSFET非常适合用于一次侧开关、LED驱动器、负载开关和同步整流。

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