GCMX040B120S1-E1

SemiQ
148-GCMX040B120S1-E1
GCMX040B120S1-E1

制造商：

说明：
MOSFET模块 1200V SiC MOSFET Power Module

数据表:
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库存量: 18

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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥194.9589 ¥194.96
¥140.9449 ¥1,409.45
¥115.1357 ¥11,513.57

产品属性 属性值 选择属性
SemiQ
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1.2 kV
57 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
- 55 C
+ 175 C
242 W
Tube
商标: SemiQ
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete and Power Modules
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
Vf - 正向电压: 3.8 V
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module

SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module is simple to drive, very rugged, and easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs. The device delivers low switching losses and junction-to-case thermal resistance. The SemiQ GCMX040B120S1-E1 Power Module has a low QRR at high temperatures and permits direct mounting to the heatsink in an isolated package.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

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