ATSC汽车用高温硅电容器

Murata ATSC汽车用高温硅电容器面向处于汽车市场领域恶劣条件下的发动机罩下电子设备和传感器。深沟槽MOS电容器与独特的镶嵌结构和分布式沟槽电容器相结合,实现了出色的电气性能。在生产过程中,该电容器在+900°C的温度下固化,生成高纯度的氧化物,另外,该器件符合AEC-Q100标准,在高达200°C的温度下实现了较长的使用寿命。

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 电容 电压额定值 封装 / 箱体 容差 系列 温度系数 最小工作温度 最大工作温度 封装
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 143库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

0.01 uF 16 V 0202 (0606 metric) 15 % ATSC 80 PPM / C - 55 C + 200 C Reel, Cut Tape
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000
卷轴: 1,000

ATSC Reel
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000
卷轴: 1,000

1000 pF 16 V 0202 (0606 metric) 15 % ATSC 80 PPM / C - 55 C + 200 C Reel
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000
卷轴: 1,000

0.047 uF 16 V 0505 (1313 metric) 15 % ATSC 80 PPM / C - 55 C + 200 C Reel
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000
卷轴: 1,000

0.1 uF 16 V 0605 (1613 metric) 15 % ATSC 80 PPM / C - 55 C + 200 C Reel